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為功率半導體而優(yōu)化,富樂華 SiN 氮化硅陶瓷基板強勢來襲
發(fā)布時間:2025年08月27日
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隨著功率半導體在新能源汽車、光伏、風電及工業(yè)控制等領(lǐng)域的快速發(fā)展,市場對陶瓷基板的性能要求日益提升。富樂華重磅推出的 SiN 氮化硅陶瓷基板,憑借卓越的熱傳導性能與機械性能,有望成為功率半導體應用的理想之選。


氮化硅陶瓷基板


氮化硅陶瓷材料本身具有高強度、優(yōu)異的抗裂性能及穩(wěn)定的導熱特性,在滿足高功率器件工作條件的同時,能夠大幅提升器件的可靠性。而更重要的是,富樂華基于多年深耕功率半導體市場的經(jīng)驗,對 SiN 陶瓷基板進行了系統(tǒng)優(yōu)化,使其在 AMB 基板等主流應用中展現(xiàn)出更突出的性能優(yōu)勢。

氮化硅2.jpg

不僅如此,富樂華 SiN 陶瓷基板采用 國內(nèi)生產(chǎn)、高性價比的策略,能夠更加靈活地滿足亞洲客戶的需求,為客戶在保證品質(zhì)的同時降低成本,提供更具競爭力的解決方案。

四川富樂華.jpg

圖:四川富樂華工廠

富樂華將持續(xù)以創(chuàng)新和品質(zhì)驅(qū)動,為功率半導體行業(yè)提供堅實的材料支撐。